申請（專利）號：CN200510093367.3申請日：2005.08.26
公開（公告）號：CN1921157公開（公告）日：2007.02.28
主分類號：H01L33/00(2006.01)范疇分類：
分類號：H01L33/00(2006.01)
優(yōu)先權：
申請（專利權）人：中國科學院半導體研究所
地址：100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
國省代碼：北京；11
發(fā)明（設計）人：康亭亭；劉祥林
國際申請：
國際公布：
進入國家日期：
專利代理機構：中科專利商標代理有限責任公司
代理人：段成云
分案申請?zhí)枺?br /> 頒證日：





摘要：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術領域的一種深紫外發(fā)光二極管結構。該結構利用了等離激元效應，表面等離激元是光場在導體表面與載流子相互耦合形成的振蕩波，表面等離激元的激發(fā)、耦合是通過具有周期性結構的金屬薄膜來實現的，同時該金屬薄膜又具有電極接觸的功能。其基本結構是將一般MIS發(fā)光二極管的金屬部分采用具有可以產生表面等離激元的周期性結構的。

主權項：
一種深紫外發(fā)光二極管，其特征在于：利用等離激元效應來提高光發(fā)射的量子效率的MIS紫外發(fā)光二極管結構，表面等離激元是光場在導體表面與載流子相互耦合形成的振蕩波，表面等離激元的激發(fā)、耦合是通過具有周期性結構的金屬薄膜來實現的，同時該金屬薄膜又具有電極接觸的功能。http://www.e122.net